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2SA965-Y(TE6,F,M)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：LSTM
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：1.367
  • 類型：晶體管（BJT） - 單路
  • PDF：2SA965-Y(TE6,F,M)

2SA965-Y(TE6,F,M)

  • 包裝

    帶盒（TB）

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    PNP

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    800mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    120V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）

    1V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    120 @ 100mA，5V

  • 功率 - 最大值

    900mW

  • 頻率 - 躍遷

    120MHz

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-226-3、TO-92-3 長體

  • 產(chǎn)品簡介說明

    TRANSISTOR PNP 120V 0.8A TO-92

  • 產(chǎn)品描述備注