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CSD85312Q3E

  • 廠家：Texas Instruments
  • 封裝：8-SON（3.3x3.3）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：2,480 - 立即發(fā)貨
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    NexFET??

  • FET 類型

    2?N 溝道（雙）共源

  • FET 功能

    邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    39A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    12.4 mOhm @ 10A, 8V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    15.2nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    2390pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    2.5W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-VDFN 裸露焊盤

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

  • 產(chǎn)品描述備注