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DMC1229UFDB-7

  • 廠家：Diodes Incorporated
  • 封裝：6-UDFN2020（2x2）
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：1.126
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    N 和 P 溝道

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    12V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    5.6A, 3.8A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    29 毫歐 @ 5A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    19.6nC @ 8V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    914pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    1.4W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-UDFN 裸露焊盤

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

  • 產(chǎn)品描述備注