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DMN3190LDW-13

  • 廠(chǎng)家：Diodes Incorporated
  • 封裝：SOT-363
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢(xún)
  • 價(jià)格：0.448
  • 類(lèi)型：FET - 陣列
  • PDF：DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類(lèi)型

    2 個(gè) N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    1A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    190 毫歐 @ 1.3A， 10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.8V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    2nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    87pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    320mW

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

  • 產(chǎn)品描述備注