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EPC2012
帶卷 (TR) 可替代的包裝
eGaN?
GaNFET N 通道,氮化鎵
邏輯電平門
200V
3A (Ta)
100 毫歐 @ 3A,5V
2.5V @ 1mA
1.5nC @ 100V
128pF @ 100V
-
表面貼裝
模具
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE