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IRF5210SPBF
管件 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET P 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
100V
38A (Tc)
60 毫歐 @ 38A,10V
4V @ 250μA
230nC @ 10V
2780pF @ 25V
3.1W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK