- 包裝
帶卷 （TR） 可替代的包裝
- 系列
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- FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能
標準
- 漏源極電壓 (Vdss)
200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
4.8A （Tc）
- 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）
800 毫歐 @ 2.9A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
14nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
260pF @ 25V
- 功率 - 最大值
2.5W
- 安裝類型
表面貼裝
- 封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 產品簡介說明
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
- 產品描述備注
全新原裝正品 更多產品請登錄 www.lc0531.com