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PMDXB600UNEZ

  • 廠家：NXP Semiconductors
  • 封裝：*
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：1.320
  • 類(lèi)型：FET - 陣列
  • PDF：PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

  • 包裝

    *

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類(lèi)型

    2 個(gè) N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    600mA

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    620 毫歐 @ 600mA， 4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    950mV @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    0.7nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    21.3pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    265mW

  • 安裝類(lèi)型

    *

  • 封裝/外殼

    *

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 20V DUAL 6DFN

  • 產(chǎn)品描述備注