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PMGD8000LN,115

  • 廠家：NXP Semiconductors
  • 封裝：6-TSSOP
  • 批號：--
  • 數(shù)量：5,746 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：PMGD8000LN,115

PMGD8000LN,115

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 類型

    2 個(gè) N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    125mA

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    8 歐姆 @ 10mA，4V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 100μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    0.35nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    18.5pF @ 5V

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP

  • 產(chǎn)品描述備注