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SH8M11TB1

  • 廠家：Rohm Semiconductor
  • 封裝：8-SOP
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：1.827
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SH8M11TB1

SH8M11TB1

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    N 和 P 溝道

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    3.5A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    98 毫歐 @ 3.5A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    1.9nC @ 5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    85pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH/P-CH 30V 3.5A 8SOP

  • 產(chǎn)品描述備注