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SI1905BDH-T1-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：SC-70-6 （SOT-363）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SI1905BDH-T1-E3

SI1905BDH-T1-E3

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    2 個 P 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    8V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    630mA

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    542 毫歐 @ 580mA，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    1.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    62pF @ 4V

  • 功率 - 最大值

    357mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 2P-CH 8V 630MA SC70-6

  • 產(chǎn)品描述備注