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SI3529DV-T1-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：6-TSOP
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SI3529DV-T1-E3

SI3529DV-T1-E3

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    N 和 P 溝道

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    40V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    2.5A，1.95A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    125 毫歐 @ 2.2A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    7nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    205pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    1.4W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

  • 產(chǎn)品描述備注