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SI3909DV-T1-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：6-TSOP
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢(xún)
  • 價(jià)格：詢(xún)價(jià)
  • 類(lèi)型：FET - 陣列
  • PDF：SI3909DV-T1-E3

SI3909DV-T1-E3

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類(lèi)型

    2 個(gè) P 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    -

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    200 毫歐 @ 1.8A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    500mV @ 250μA （最?。?/p>

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    4nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    1.15W

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

  • 產(chǎn)品描述備注