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SI5915BDC-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：1206-8 ChipFET?
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    2 個(gè) P 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    8V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    4A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    70 毫歐 @ 3.3A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    14nC @ 8V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    420pF @ 4V

  • 功率 - 最大值

    3.1W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SMD，扁平引線

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

  • 產(chǎn)品描述備注