" />" />

久久久久久精品影院妓女一区二区,精品国产一区二区三区吸毒,啦啦啦在线视频免费观看播放,人妻互换一二三区激情视频

您好，歡迎您來到恒達億科技有限公司官方網(wǎng)站
服務(wù)熱線：0755-82723761 / 0755-82772189 |幫助中心|設(shè)為首頁| 加入收藏
您當前位置：首 頁 >> 產(chǎn)品索引 >> SI7909DN-T1-GE3
跳過導航鏈接。

SI7909DN-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    2 個 P 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    12V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    5.3A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    37 毫歐 @ 7.7A，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 700μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    24nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    1.3W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    PowerPAK? 1212-8 雙

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

  • 產(chǎn)品描述備注