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SIB911DK-T1-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

  • 包裝

    Digi-Reel?

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    2 個(gè) P 溝道（雙）

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    2.6A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    295 毫歐 @ 1.5A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    4nC @ 8V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    115pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    3.1W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    PowerPAK? SC-75-6L 雙

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

  • 產(chǎn)品描述備注