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SIHB22N60E-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：D2PAK
  • 批號：--
  • 數(shù)量：1,439 - 立即發(fā)貨
  • 價格：28.980
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    超級結(jié)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    600V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    21A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    180 毫歐 @ 11A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    86nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1920pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    227W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

  • 產(chǎn)品描述備注