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SSM6N42FE(TE85L,F)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：ES6（1.6x1.6）
  • 批號：--
  • 數量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：SSM6N42FE(TE85L,F)

SSM6N42FE(TE85L,F)

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個 N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    800mA

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    240 毫歐 @ 500mA，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    2nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    90pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    150mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SOT-563，SOT-666

  • 產品簡介說明

    MOSFET DUAL N-CH 20V .8A ES6

  • 產品描述備注