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VQ1006P-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：*
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：540.540
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

  • 包裝

    *

  • 系列

    -

  • FET 類型

    4 個(gè) N 通道

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    90V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    400mA

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    4.5 歐姆 @ 1A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    60pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安裝類型

    *

  • 封裝/外殼

    -

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 4N-CH 90V 400MA 14DIP

  • 產(chǎn)品描述備注